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SVT085R5NL5

更新时间： 2024-03-03 10:09:44

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士兰微 - SILAN		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	374K
描述
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数据手册

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SVT085R5NL5 数据手册

士兰微电子

SVT085R5NT(S)(L5)(KL)说明书

120A、85V N沟道增强型场效应管

描述

SVT085R5NT/S/L5/KL N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具

有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

5 D

G 4

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，85V，R_DS(on)_{（典型值）}=4.5m@V_GS=10V

低栅极电荷量

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

TO-220-3L

低反向传输电容

开关速度快

TO-262L-3L

提升了 dv/dt 能力

TO-263-2L

产品规格分类

产品名称

SVT085R5NT

封装形式

TO-220-3L

打印名称

085R5NT

085R5NS

085R5NL5

085R5NKL

环保等级

包装方式

料管

无铅

无卤

无铅

SVT085R5NS

TO-263-2L

料管

SVT085R5NSTR

SVT085R5NL5TR

SVT085R5NKL

TO-263-2L

编带

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

TO-262L-3L

编带

料管

极限参数（除非特殊说明，T_A=25C）

参数值

参数

符号

单位

SVT085R5NT/S/KL

SVT085R5NL5

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

±20

T_C=25°C

120

100

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

480

160

1.3

400

114

0.9

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

W/C

C

单脉冲雪崩能量

工作结温范围

贮存温度范围

（注 1）

E_AS

T_J

324

-55～+150

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.8

共 9 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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与SVT085R5NL5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SVT085R5NS	SILAN	TO-263-2L	获取价格
SVT085R5NT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
SVT100-5	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-3	获取价格
SVT10100U	PANJIT	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SVT10100UB	PANJIT	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SVT10111ND	SILAN	TO-252-2L	获取价格