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SVT068R5NT

更新时间： 2024-11-20 15:18:51

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士兰微 - SILAN		/
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10页	414K
描述
TO-220-3L

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SVT068R5NT 数据手册

士兰微电子

SVT068R5NT/D/S/L5 说明书

80A、60V N沟道增强型场效应管

描述

SVT068R5NT/D/S/L5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用

先进的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。

5 D

G 4

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点

PDFN-8-5X6X0.95-1.27



80A，60V，R_{DS(on)（典型值）}=7.0m@V_GS=10V

低栅极电荷量

TO-252-2L

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-263-2L

TO-220-3L

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-220-3L

打印名称

068R5NT

068R5ND

068R5NS

068R5NL5

环保等级

无铅

包装方式

料管

SVT068R5NT

SVT068R5NDTR

SVT068R5NSTR

SVT068R5NL5TR

TO-252-2L

无卤

编带

TO-263-2L

无卤

编带

PDFN-8-5×6×0.95-1.27

无卤

编带

极限参数（除非特殊说明，T_J=25C）

参数值

参数名称

符号

单位

SVT068R5NT/S

SVT068R5ND

SVT068R5NL5

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

±20

T_C=25°C

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

320

158

107

100

W/C

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

（注 1）

1.05

0.7

0.67

单脉冲雪崩能量

工作结温范围

贮存温度范围

E_AS

T_J

389

-55～+175

C

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.4

共10页

第1页

http: //www.silan.com.cn

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与SVT068R5NT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SVT078R0ND	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:68V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
SVT078R0NT	SILAN	获取价格	TO-220-3L
SVT085R5NL5	SILAN	获取价格	PDFN5*6
SVT085R5NS	SILAN	获取价格	TO-263-2L
SVT085R5NT	SILAN	获取价格	TO-220-3L
SVT100-5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-3
SVT10100U	PANJIT	获取价格	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SVT10100UB	PANJIT	获取价格	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SVT10111ND	SILAN	获取价格	TO-252-2L
SVT10120V	PANJIT	获取价格	ULTRA LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER