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SVT035R5NSA

更新时间： 2024-03-03 10:11:01

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士兰微 - SILAN		/
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8页	322K
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SOP-8

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SVT035R5NSA 数据手册

士兰微电子

SVT035R5NSA 说明书

21A、30V N沟道增强型场效应管

描述

5 6 7 8

4. 栅极

1、2、3. 源极

5、6；7、8. 漏极

SVT035R5NSA N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点



21A，30V，R_DS(on)_{（典型值）}=4.0m@V_GS=10V

低栅极电荷量

1 2 3

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

SOP-8-225-1.27

产品规格分类

产品名称

SVT035R5NSA

SVT035R5NSATR

封装形式

打印名称

035R5NSA

环保等级

无卤

包装方式

料管

SOP-8-225-1.27

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 8 页第 1 页

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