Datasheet > SVT078R0NT

SVT078R0NT

更新时间： 2024-05-07 20:39:19

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
7页	346K
描述
TO-220-3L

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SVT078R0NT 数据手册

士兰微电子

SVT078R0NT/S 说明书

88A、68V N沟道增强型场效应管

描述

SVT078R0NT/S N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



88A，68V，R_DS(on)_{（典型值）}=6.0m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-263-2L

TO-220-3L

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

无铅

包装

料管

编带

SVT078R0NT

TO-220-3L

078R0NT

SVT078R0NS

TO-263-2L

078R0NS

无卤

SVT078R0NSTR

无卤

极限参数(除非特殊说明，T_C=25C)

参数值

参数名称

符号

单位

SVT078R0NT

SVT078R0NS

±25

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

T_C=25°C

T_C=100°C

漏极电流

I_D

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

352

140

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

0.93

W/C

C

420

单脉冲雪崩能量（注 1）

工作结温范围

E_AS

T_J

-55～+175

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.4

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与SVT078R0NT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SVT085R5NL5	SILAN	PDFN5*6	获取价格
SVT085R5NS	SILAN	TO-263-2L	获取价格
SVT085R5NT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
SVT100-5	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-3	获取价格
SVT10100U	PANJIT	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SVT10100UB	PANJIT	EXTREME LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格