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SVT032R5ND

更新时间： 2024-03-03 10:08:39

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士兰微 - SILAN		/
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10页	471K
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TO-252-2L

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SVT032R5ND 数据手册

士兰微电子

SVT032R5ND 说明书

160A、30V N沟道增强型场效应管

描述

SVT032R5ND N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的

LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的

导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



160A，30V，R_DS(on)_{（典型值）}=2.0m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

TO-252-2L

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

单位

1.0~2.5

2.5

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

160

103

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVT032R5NDTR

TO-252-2L

032R5ND

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 10 页第 1 页

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