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SVT03200PSA

更新时间： 2024-03-03 10:11:02

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士兰微 - SILAN		/
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SOP-8

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SVT03200PSA 数据手册

士兰微电子

SVT03200PSA 说明书

-12A、-30V P沟道增强型场效应管

描述

5 6 7 8

4. 栅极

1、2、3. 源极

5、6；7、8. 漏极

SVT03200PSA P 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较

低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

1 2 3



-12A，-30V，R_DS(on)_{（典型值）}=16m@V_GS=-10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

SOP-8-225-1.27

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

-30

单位

-1.0~-2.0

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

-12

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVT03200PSATR

SOP-8-225-1.27

03200PSA

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 9 页第 1 页

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