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SVT033R5NAT PDF预览

SVT033R5NAT

更新时间： 2024-03-03 10:11:24
品牌 Logo 应用领域
士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
8页 349K
描述
TO-220HW-3L

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SVT033R5NAT 数据手册

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士兰微电子  
SVT033R5NAT 说明书  
180A、30V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVT033R5NAT N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰  
的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低  
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
1
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
180A，30V，RDS(on)（典型值）=2.8m@VGS=10V  
低栅极电荷量  
低反向传输电容  
1
2
3
开关速度快  
提升了 dv/dt 能力  
TO-220HW-3L  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
SVT033R5NAT  
TO-220HW-3L  
033R5NAT  
无铅  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号：1.1  
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