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SVSP80R180SE3

更新时间： 2024-03-03 10:11:01

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士兰微 - SILAN		/
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13页	550K
描述
TO-263-2L

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SVSP80R180SE3 数据手册

士兰微电子

SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 说明书

24A, 800V 超结 MOS功率管

描述

SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 N 沟道增强型高压功率 MOSFET

采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损

耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP80R180S(FJD)(P7)E3 应用广泛。如，适用于硬/软

开关拓扑。

TO-220FJD-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



24A，800V，R_DS(on)(typ.)=0.14@V_GS=10V

创新高压技术

TO-263-2L

低栅极电荷

TO-247-3L

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

800

单位

3.0~5.0

0.18

V_GS(th)

R_DS(on)

，



max.

I_D.pulse

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-263-2L

TO-220FJD-3L

TO-247-3L

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

SVSP80R180SE3

SVSP80R180SE3TR

SVSP80R180FJDE3

SVSP80R180P7E3

P80R180SE3

P80R180E3

料管

编带

料管

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 13 页第 1 页

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