SUP18N15-95

更新时间： 2024-11-12 08:58:07

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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5页	41K
描述
N - Channel 150 - V (D-S) 175C MOSFET

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SUP18N15-95 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.87
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	88 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUP18N15-95 数据手册

SUP18N15-95

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 150-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFETS

PRODUCT SUMMARY

D 175_C Junction Temperature

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.095 @ V = 10 V

D 42-V Automotive Bus

150

0.100 @ V = 6 V

17.5

TO-220AB

DRAIN connected to TAB

G D S

Top View

N-Channel MOSFET

SUP18N15-95

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

150

"20

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

10.3

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

16.2

Maximum Power Dissipation

= 25_C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Junction-to-Ambient (Free Air)

Junction-to-Case

Symbol

Limit

Unit

thJA

thJC

_C/W

1.7

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

Document Number: 71642

S-04093—Rev. A, 25-Jun-01

www.vishay.com

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