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SUP40N06-25L

更新时间： 2024-09-22 21:53:31

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level

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SUP40N06-25L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.89
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUP40N06-25L 数据手册

SUP/SUB40N06-25L

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic Level

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.022 @ V = 10 V

0.025 @ V = 4.5 V

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

G D S

N-Channel MOSFET

SUB40N06-25L

Top View

SUP40N06-25L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

Continuous Drain Current

(T = 175

_C)

= 100_C

Pulsed Drain Current

100

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

= 25_C (TO-220AB and TO-263)

Power Dissipation

= 25_C (TO-263)

3.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

thJC

Free Air (TO-220AB)

C/W

1.6

Notes:

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70288

S-57253—Rev. C, 24-Feb-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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