5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 107 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 75 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP40N10-30-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SUP40N10-35 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET |
|
| SUP40N10-35-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET |
|
| SUP40N25-60 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 250-V (D-S) 175C MOSFET |
|
| SUP40N25-60_07 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 250-V (D-S) 175 Celsius MOSFET |
|
| SUP40N25-60-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 250-V (D-S) 175C MOSFET |
|
| SUP40P10-43-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
|
| SUP45N03-13L | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET |
|
| SUP45N03-13L-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SUP45N05-20L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220AB |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
