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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 33 A | 最大漏源导通电阻： | 0.144 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 156 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP36N20-54P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 150 Celsius MOSFET |
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| SUP36N20-54P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH D-S 200V TO220AB |
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| SUP40010EL | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
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| SUP40012EL | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
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| SUP40N06-25L | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level |
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| SUP40N10-30 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUP40N10-30-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUP40N10-35 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUP40N10-35-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUP40N25-60 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 250-V (D-S) 175C MOSFET |
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