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STS2DPF80

更新时间： 2024-11-24 03:30:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 224K
描述
DUAL P-CHANNEL 80V - 0.21 Ohm - 2.3A SO-8

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STS2DPF80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS2DPF80 数据手册

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STS2DPF80  
DUAL P-CHANNEL 80V - 0.21 Ω - 2.3A SO-8  
STripFET™ POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STS2DPF80  
80 V  
<0.25 Ω  
2.3 A  
■
TYPICAL RDS(on) = 0.21 Ω  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
■
DESCRIPTION  
This application specific Power MOSFET is the  
second generation of STMicroelectronis unique  
"Single Feature Size™" strip-based process. The  
resulting transistor shows extremely high packing  
density for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
therefore a remarkable manufacturing reproduc-  
ibility.  
SO-8  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
DC/DC CONVERTERS  
■
BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
POWER MANAGEMENT IN CELLULAR  
PHONES AND DISPLAY NEW GENERATION  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STS8DPF80  
MARKING  
S8DPF80  
PACKAGE  
SO-8  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
80  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
80  
V
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
V
GS  
Drain Current (continuous) at T = 25°C Single Operation  
2.0  
1.3  
A
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C Single Operation  
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
8
2.5  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
°C  
°C  
tot  
C
T
Storage Temperature  
-55 to 150  
150  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and  
current has to be reversed  
Rev.0.1  
1/9  
June 2004  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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