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STS3DPFS45

更新时间： 2024-11-23 22:14:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 265K
描述
P-CHANNEL 45V - 0.080 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER

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STS3DPFS45 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：45 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS3DPFS45 数据手册

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STS3DPFS45  
P-CHANNEL 45V - 0.080 Ω - 3A SO-8  
STripFET™ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
V
DSS  
R
I
D
MOSFET  
DS(on)  
45 V  
< 0.11 Ω  
3 A  
I
V
RRM  
V
F(MAX)  
SCHOTTKY  
F(AV)  
3 A  
45 V  
0.51 V  
DESCRIPTION  
SO-8  
This product associates the latest low voltage  
StripFETœ in p-channel version to a low drop  
Schottky diode. Such configuration is extremely  
versatile in implementing, a large variety of DC-DC  
converters for printers, portable equipment, and  
cellular phones.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Unit  
V
V
DS  
Dain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
45  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
3
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
1.9  
12  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
tot  
Total Dissipation at T = 25°C  
2
W
C
SCHOTTKY ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
RMS Forward Curren  
Value  
Unit  
V
V
RRM  
45  
I
20  
A
F(RMS)  
o
T =125 C  
δ =0.5  
L
I
Average Forward Current  
3
75  
1
A
A
A
F(AV)  
tp= 10 ms  
Sinusoidal  
I
Surge Non Repetitive Forward Current  
Repetitive Peak Reverse Current  
FSM  
tp=2 µs  
I
RRM  
F=1 kHz  
I
Non Repetitive Peak Reverse Current  
Critical Rate Of Rise Of Reverse Voltage  
tp=100 µs  
1
A
RSM  
dv/dt  
10000  
V/µs  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current has to be reversed  
February 2002  
1/8  
.
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS3NBT HOKURIKU

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