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STS4C3F60L

更新时间: 2024-09-26 22:14:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 438K
描述
StripFET⑩ MOSFET

STS4C3F60L 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:ROHS COMPLIANT, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77Is Samacsys:N
其他特性:LOW THRESHOLD配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):4 A最大漏源导通电阻:0.065 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STS4C3F60L 数据手册

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STS4C3F60L  
N-CHANNEL 60V - 0.045 - 4A SO-8  
P-CHANNEL 60V - 0.100 - 3A SO-8  
StripFET™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STS4C3F60L (N-Channel)  
STS4C3F60L (P-Channel)  
60 V < 0.055 4 A  
60 V < 0.120 3 A  
TYPICAL R  
TYPICAL R  
(N-Channel) = 0.045 Ω  
(P-Channel) = 0.100 Ω  
DS(on)  
DS(on)  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
DESCRIPTION  
SO-8  
This MOSFET is the latest development of STMi-  
croelectronics unique ”Single Feature Size™”  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
DC/DC CONVERTERS  
BACK LIGHT INVERTER FOR LCD  
Table 2: Order Codes  
PART NUMBER  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
STS4C3F60L  
S4C3F60L  
SO-8  
TAPE & REEL  
Rev. 2  
September 2004  
1/11  

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