5秒后页面跳转
STS4DNFS30L PDF预览

STS4DNFS30L

更新时间: 2024-09-24 22:15:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 247K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER

STS4DNFS30L 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.79Samacsys Description:MOSFET N-Ch 30 Volt 4 Amp
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:0.065 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

STS4DNFS30L 数据手册

 浏览型号STS4DNFS30L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STS4DNFS30L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STS4DNFS30L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STS4DNFS30L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STS4DNFS30L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STS4DNFS30L的Datasheet PDF文件第7页 
STS4DNFS30L  
N-CHANNEL 30V - 0.044- 4A SO-8  
STripFET™ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
V
DSS  
R
I
D
MOSFET  
DS(on)  
30 V  
< 0.055 Ω  
4 A  
I
V
RRM  
V
F(MAX)  
SCHOTTKY  
F(AV)  
3 A  
30 V  
0.51 V  
SO-8  
DESCRIPTION  
This product associates the latest low voltage  
STripFET™ in n-channel version to a low drop  
Schottky diode. Such configuration is extremely ver-  
satile in implementing, a large variety of DC-DC  
converters for printers, portable equipment, and cel-  
lular phones.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 k)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
4
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
2.5  
16  
A
D
C
I
()  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
2
W
C
SCHOTTKY ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
RMS Forward Current  
Value  
30  
Unit  
V
V
RRM  
I
20  
A
F(RMS)  
I
Average Forward Current  
TL = 125°C  
δ = 0.5  
3
75  
1
A
F(AV)  
I
Surge Non Repetitive Forward Current  
Repetitive Peak Reverse Current  
tp = 10 ms  
Sinusoidal  
A
A
FSM  
I
tp = 2 µs  
RRM  
F=1 kHz  
I
Non Repetitive Peak Reverse Current  
Critical Rate Of Rise Of Reverse Voltage  
tp = 100 µs  
1
A
RSM  
dv/dt  
10000  
V/µs  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
July 2002  
1/8  

STS4DNFS30L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMD6N02R2G ONSEMI

功能相似

Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
NTMD4N03R2G ONSEMI

功能相似

Power MOSFET 4 A, 30 V, N−Channel SO−8 Du
FDS9926A FAIRCHILD

功能相似

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与STS4DNFS30L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS4DNFS30L_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET TM MOSFET plus SCHOTTKY rectifier
STS4DPF20L STMICROELECTRONICS

获取价格

DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STrip
STS4DPF30L STMICROELECTRONICS

获取价格

DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STrip
STS4DPFS20L STMICROELECTRONICS

获取价格

P-CHANNEL 20V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M
STS4DPFS2LS STMICROELECTRONICS

获取价格

P-CHANNEL 20V - 0.06ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M
STS4DPFS30L STMICROELECTRONICS

获取价格

P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M
STS4NF100 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET
STS4NM20N ETC

获取价格

N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET
STS4PF20V STMICROELECTRONICS

获取价格

P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 4A SO- 2.7V-DRIVE
STS5100L JSMC

获取价格

SMB