5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 247K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.79 | Samacsys Description： | MOSFET N-Ch 30 Volt 4 Amp |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTMD6N02R2G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts |
|
| NTMD4N03R2G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 4 A, 30 V, NâChannel SOâ8 Du |
|
| FDS9926A | FAIRCHILD |
功能相似 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STS4DNFS30L_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET TM MOSFET plus SCHOTTKY rectifier |
|
| STS4DPF20L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STrip |
|
| STS4DPF30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STrip |
|
| STS4DPFS20L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 20V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M |
|
| STS4DPFS2LS | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 20V - 0.06ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M |
|
| STS4DPFS30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ M |
|
| STS4NF100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET |
|
| STS4NM20N | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET |
|
| STS4PF20V | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 4A SO- 2.7V-DRIVE |
|
| STS5100L | JSMC |
获取价格 |
SMB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
