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STS4NM20N

更新时间： 2024-02-25 01:44:27

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6页	140K
描述
N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET

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STS4NM20N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	12 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STS4NM20N 数据手册

STS4NM20N

N-CHANNEL 200V - 0.11Ω - 4A SO-8

ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh™ II MOSFET

TARGET DATA

TYPE

DSS

DS(on)

STS4NM20N

200 V

< 0.13 Ω

■

WORLDWIDE LOWEST GATE CHARGE

TYPICAL R (on) = 0.11Ω

HIGH dv/dt and AVALANCHE CAPABILITIES

LOW INPUT CAPACITANCE

LOW GATE RESISTANCE

TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH

MANUFACTURING YIELDS

SO-8

DESCRIPTION

This 200V MOSFET with a new advanced layout

brings all unique advantages of MDmesh technolo-

gy to lower voltages. The device exhibits worldwide

lowest gate charge for any given on-resistance.Its

use is therefore ideal as primary switch in isolated

DC-DC converters for Telecom and Computer appli-

cations.Used in combination with secondary-side

low-voltage STripFET^TMproducts, it contributes to

reducing losses and boosting efficiency

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

The MDmesh^TMfamily is very suitable for increasing

power density allowing system miniaturization and

higher efficiencies

ORDERING INFORMATION

SALES TYPE

MARKING

PACKAGE

SO-8

PACKAGING

STS4NM20N

S4NM20N

TAPE & REEL

March 2003

1/6

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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