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STS65R280SS2

更新时间： 2024-10-15 18:10:03

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士兰微 - SILAN		/
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12页	594K
描述
TO-263-2L

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STS65R280SS2 数据手册

士兰微电子

STS65R280D(F)(S)S2 说明书

14A，650V 超结 MOS功率管

描述

STS65R280D(F)(S)S2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士

兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得

功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，STS65R280D(F)(S)S2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓

扑。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



14A，650V，R_DS(on)(typ.)=0.24@V_GS=10V

创新高压技术

TO-263-2L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-252-2L

TO-220F-3L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

650

单位

2.5~4.5

0.28

V_GS(th)

R_DS(on),max.

I_D.pulse



Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-252-2L

TO-220F-3L

TO-263-2L

打印名称

65R28DS2

65R280FS2

65R280SS2

环保等级

包装方式

编带

STS65R280DS2TR

STS65R280FS2

STS65R280SS2TR

STS65R280SS2

无卤

料管

编带

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 12 页第 1 页

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STS65R900DS2	SILAN	获取价格	TO-252-2L
STS65R900FS2	SILAN	获取价格	TO-220F-3L
STS6601	SAMHOP	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STS6DNF30L	STMICROELECTRONICS	获取价格	DUAL N - CHANNEL 30V - 0.022ohm - 6A SO-8 STripFET POWER MOSFET
STS6DNF30V	STMICROELECTRONICS	获取价格	DUAL N-CHANNEL 30V - 0.026ohm - 6A SO-8 2.5V-
STS6NF20V	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 20V - 0.030 ohm - 6A SO-8 2.7V-DRIV
STS6NF20V	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
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STS6PF30L	STMICROELECTRONICS	获取价格	P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩