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STS4NM20N

更新时间: 2024-02-02 19:59:21
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其他 - ETC 栅极
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6页 140K
描述
N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET

STS4NM20N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:0.13 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):12 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STS4NM20N 数据手册

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STS4NM20N  
Fig. 1: Unclamped Inductive Load Test Circuit  
Fig. 2: Unclamped Inductive Waveform  
Fig. 3: Switching Times Test Circuit For  
Fig. 4: Gate Charge test Circuit  
Resistive Load  
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching  
And Diode Recovery Times  
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