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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 280K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STS5P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、5 A STripFET H6功率MOSFET， |
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| STS5PF20V | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 20V - 0.065 ohm - 5A SO-8 2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET |
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| STS5PF30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P - CHANNEL 30V - 0.053ohm - 5A SO-8 STripFET POWER MOSFET |
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| STS5PF30L_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-channel 30V - 0.045OHM - 5A SO-8 STripFET TM Power MOSFET |
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| STS65R190DS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-252-2L |
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| STS65R190FS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-220F-3L |
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| STS65R190SS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-263-2L |
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| STS65R280DS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-252-2L |
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| STS65R280FS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-220F-3L |
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| STS65R280SS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-263-2L |
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