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STS4NM20N

更新时间： 2024-02-21 06:23:51

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6页	140K
描述
N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET

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STS4NM20N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	12 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STS4NM20N 数据手册

STS4NM20N

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

200

Unit

Drain-source Voltage (V = 0)

Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)

200

DGR

Gate- source Voltage

± 30

Drain Current (continuous) at T = 25°C

2.83

Drain Current (continuous) at T = 100°C

(2)

Drain Current (pulsed)

2.5

0.02

Total Dissipation at T = 25°C

TOT

Derating Factor (1)

W/°C

V/ns

d /d (3)

Peak Diode Recovery voltage slope

THERMAL DATA

Rthj-pcb

Thermal Resistance Junction-pcb Max (1)

150

°C/W

°C

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

stg

-55 to 150

°C

AVALANCHE CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Max Value

Unit

Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive

TBD

(pulse width limited by T max)

Single Pulse Avalanche Energy

TBD

(starting T = 25 °C, I = I , V = 35 V)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)

CASE

ON/OFF

Symbol

Parameter

Drain-source

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

= 1 mA, V = 0

200

(BR)DSS

Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage

= Max Rating

= Max Rating, T = 125 °C

µA

DSS

GSS

Drain Current (V = 0)

Gate-body Leakage

= ± 30 V

100

µA

Current (V = 0)

Gate Threshold Voltage

= V , I = 250 µA

3.5

4.2

GS(th)

Static Drain-source On

Resistance

= 10 V, I = 2 A

0.11

0.13

Ω

DS(on)

2/6

123 4 5 6

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