STS5N15M3

更新时间： 2024-11-24 08:58:51

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	330K
描述
N-channel 150 V, 45 mΩ, 5 A, SO-8 ultra low gate charge MDmesh? III Power MOSFET

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STS5N15M3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.057 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STS5N15M3 数据手册

STS5N15M3

N-channel 150 V, 45 mΩ, 5 A, SO-8

ultra low gate charge MDmesh™ III Power MOSFET

Features

R_DS(on)

max

Type

V_DSS

150 V

I_D

STS5N15M3

< 0.057 Ω

5 A

■ Low on-resistance

SO-8

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ High dv/dt avalanche capabilities

Application

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Switching applications

Description

This device is realized with the third generation of

MDmesh™ technology. This Power MOSFET

associates an improved vertical structure to the

company’s strip layout to yield one of the world’s

lowest on-resistance and gate charge. It is

therefore suitable for the most demanding high

efficiency converters.

Table 1.

Order code

STS5N15M3

Device summary

Marking

Package

SO-8

Packaging

5R15-

Tape and reel

June 2008

Rev 2

1/12

www.st.com

12 3 4 5 6 7...12

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