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STS6DNF30V

更新时间： 2024-01-26 00:34:01
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 269K
描述
DUAL N-CHANNEL 30V - 0.026ohm - 6A SO-8 2.5V-DRIVE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STS6DNF30V 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.89
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.038 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS6DNF30V 数据手册

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STS6DNF30V  
DUAL N-CHANNEL 30V - 0.026Ω - 6A SO-8  
2.5V-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
<0.030Ω (@4.5V)  
<0.038Ω (@2.5V)  
STS6DNF30V  
30 V  
6 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.026Ω (@4.5V)  
DS  
TYPICAL R (on) = 0.030Ω (@2.5V)  
DS  
ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.5V)  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
SO-8  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature Size™”  
strip-based process. The resulting transistor shows  
extremely high packing density for low on-resis-  
tance, rugged avalanche characteristics and less  
critical alignment steps therefore a remarkable man-  
ufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
BATTERY SAFETY UNIT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
■
DC-DC CONVERTERS  
POWER MANAGEMENT IN PORTABLE/  
DESKTOP PC  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
V
A
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±12  
6
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
D
C
Single Operation  
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
Single Operation  
3.8  
24  
A
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C Dual Operation  
2
1.6  
W
W
C
Total Dissipation at T = 25°C Single Operation  
C
(●) Pulse width limited by safe operating area  
July 2002  
1/8  
12345678

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与STS6DNF30V相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS6NF20V STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 20V - 0.030 ohm - 6A SO-8 2.7V-DRIV
STS6P3LLH6 STMICROELECTRONICS

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