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STS65R190DS2

更新时间： 2024-11-13 18:09:39

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士兰微 - SILAN		/
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14页	640K
描述
TO-252-2L

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STS65R190DS2 数据手册

士兰微电子

STS65R190F(L8A)(T)(S)(D)S2 说明书

20A，650V 超结 MOS功率管

描述

STS65R190F(L8A)(T)(S)(D)S2

N 沟道增强型高压功率

MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗

和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，STS65R190F(L8A)(T)(S)(D)S2 应用广泛。如，适用于硬/

软开关拓扑。

TO-220F-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

D(2)

G(1)

S(3)

DFN-4-8x8x0.85-2.0

特点

TO-252-2L



20A，650V，R_DS(on)(typ.)=0.155@V_GS=10V

创新高压技术

TO-263-2L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

TO-220-3L

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

650

单位

2.5~4.5

0.19

V_GS(th)

R_DS(on),max.

I_D.pulse



Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

STS65R190FS2

封装形式

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

料管

TO-220F-3L

DFN-4-8x8x0.85-2.0

TO-220-3L

65R190FS2

65R190S2

65R190TS2

65R190SS2

65R190S2

STS65R190L8AS2TR

STS65R190TS2

无卤

编带

无卤

料管

STS65R190SS2

STS65R190SS2TR

STS65R190DS2TR

TO-263-2L

无卤

料管

TO-263-2L

无卤

编带

TO-252-2L

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.4

共 14 页第 1 页

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