STS6DNF30L

更新时间： 2024-01-12 19:45:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
DUAL N - CHANNEL 30V - 0.022ohm - 6A SO-8 STripFET POWER MOSFET

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STS6DNF30L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.89
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.038 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STS6DNF30L 数据手册

STS6DNF30L

DUAL N - CHANNEL 30V - 0.022Ω - 6A SO-8

STripFET POWER MOSFET

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STS6DNF30L

30 V

< 0.025 Ω

6 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.022 Ω

STANDARD OUTLINE FOR EASY

AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY

LOW THRESHOLD DRIVE

■

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the second generation of

STMicroelectronics unique ” Single Feature

Size

” strip-based process. The resulting

transistor shows extremely high packing density

for low on-resistance, rugged avalanche

characteristics and less critical alignment steps

SO-8

therefore

remarkable

manufacturing

reproducibility.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

DC MOTOR DRIVE

DC-DC CONVERTERS

BATTERY MANAGMENT IN NOMADIC

EQUIPMENT

■

POWER MANAGEMENT IN

PORTABLE/DESKTOPPC_s

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

V_DGR

V_GS

± 20

I_D

Drain Current (continuous) at Tc = 25 C

Single Operation

Drain Current (continuous) at T_c= 100 C

3.8

Single Operation

I_DM( )

Drain Current (pulsed)

•

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C Dual Operation

1.6

Total Dissipation at T_c= 25 C Sinlge Operation

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/8

April 1999

12 3 4 5 6 7 8

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