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STS7DNF30L

更新时间： 2024-01-22 06:14:14
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
6页 49K
描述
DUAL N - CHANNEL 30V - 0.018ohm - 7A SO-8 STripFET POWER MOSFET

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STS7DNF30L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.86
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS7DNF30L 数据手册

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STS7DNF30L  
DUAL N - CHANNEL 30V - 0.018Ω - 7A SO-8  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STS7DNF30L  
30 V  
< 0.022 Ω  
7 A  
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.018 Ω  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
■
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the second generation of  
STMicroelectronics unique ” Single Feature  
Size  
” strip-based process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
SO-8  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR DRIVE  
DC-DC CONVERTERS  
BATTERY MANAGMENT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
POWER MANAGEMENT IN  
PORTABLE/DESKTOPPCs  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
VDGR  
VGS  
30  
V
± 20  
7
V
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Single Operation  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
o
4
A
Single Operation  
IDM( )  
Drain Current (pulsed)  
28  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C Dual Operation  
2
1.6  
W
W
o
Total Dissipation at Tc = 25 C Sinlge Operation  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
November 1999  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS7NF30L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 30V - 0.021ohm - 7A SO-8 STripFET POWER MOSFET
STS7NF60L STMICROELECTRONICS

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