STS8050B

更新时间： 2024-01-26 14:25:28

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可天士 - KODENSHI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	238K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), NPN,

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STS8050B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	160
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

STS8050B 数据手册

STS8050

NPN Silicon Transistor

Descriptions

• High current application

PIN Connection

• Radio in class B push-pull operation

Feature

• Complementary pair with STS8550

TO-92

Ordering Information

Type NO.

Marking

STS8050

Package Code

STS8050

TO-92

Absolute Maximum Ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

800

°C

Emitter current

I_E

-800

625

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P_C

T_J

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=500μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

V_CB=15V, I_E=0

300

0.5

1.2

DC current gain

h_FE

V_CE=1V, I_C=50mA

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=1V, I_C=500mA

V_CE=5V, I_C=10mA, f=1MHz

V_CB=10V, I_E=0

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Transition frequency

f_T

120

MHz

Collector output capacitance

C_ob

* : h_FERank

B : 85~160, C : 120~200, D : 160~300

KSD-T0A025-001

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