Datasheet > STS65R190SS2

STS65R190SS2

更新时间： 2024-03-03 10:09:46

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
13页	553K
描述
TO-263-2L

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STS65R190SS2 数据手册

士兰微电子

STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 说明书

20A，650V 超结 MOS功率管

描述

STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET

采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损

耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 应用广泛。如，适用于硬/软开

关拓扑。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



20A，650V，R_DS(on)(typ.)=0.155@V_GS=10V

创新高压技术

DFN-4-8x8x0.85-2.0

TO-263-2L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-220F-3L

TO-220-3L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

650

单位

2.5~4.5

0.19

V_GS(th)

R_DS(on),max.

I_D.pulse



Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

STS65R190FS2

STS65R190L8AS2TR

STS65R190TS2

STS65R190SS2

STS65R190SS2TR

封装形式

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

料管

TO-220F-3L

DFN-4-8x8x0.85-2.0

TO-220-3L

65R190FS2

65R190S2

无卤

编带

65R190TS2

65R190SS2

无卤

料管

TO-263-2L

无卤

料管

TO-263-2L

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.3

共 13 页第 1 页

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与STS65R190SS2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STS65R280DS2	SILAN	获取价格	TO-252-2L
STS65R280FS2	SILAN	获取价格	TO-220F-3L
STS65R580FS2	SILAN	获取价格	TO-220F-2L
STS6601	SAMHOP	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STS6DNF30L	STMICROELECTRONICS	获取价格	DUAL N - CHANNEL 30V - 0.022ohm - 6A SO-8 STripFET POWER MOSFET
STS6DNF30V	STMICROELECTRONICS	获取价格	DUAL N-CHANNEL 30V - 0.026ohm - 6A SO-8 2.5V-
STS6NF20V	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 20V - 0.030 ohm - 6A SO-8 2.7V-DRIV
STS6P3LLH6	STMICROELECTRONICS	获取价格	P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) VI Deep
STS6PF30L	STMICROELECTRONICS	获取价格	P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩
STS700	SSOUSA	获取价格	Multifunction Telecommunications Switch