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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 47K |  |
| 描述 | ||
| P - CHANNEL 30V - 0.053ohm - 5A SO-8 STripFET POWER MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.39 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS9435A | FAIRCHILD |
功能相似  |
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| FDS9400A | FAIRCHILD |
功能相似 |
30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STS5PF30L_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-channel 30V - 0.045OHM - 5A SO-8 STripFET TM Power MOSFET |
|
| STS65R190FS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-220F-3L |
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| STS65R190SS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-263-2L |
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| STS65R280DS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-252-2L |
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| STS65R280FS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-220F-3L |
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| STS65R580FS2 | SILAN |
获取价格 |
TO-220F-2L |
|
| STS6601 | SAMHOP |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STS6DNF30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DUAL N - CHANNEL 30V - 0.022ohm - 6A SO-8 STripFET POWER MOSFET |
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| STS6DNF30V | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL 30V - 0.026ohm - 6A SO-8 2.5V- |
|
| STS6NF20V | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 20V - 0.030 ohm - 6A SO-8 2.7V-DRIV |
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