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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS7C4F30L
STS7C4F30L PDF预览

STS7C4F30L

更新时间： 2024-02-08 02:05:02
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 406K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET

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STS7C4F30L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS7C4F30L 数据手册

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STS7C4F30L  
N-CHANNEL 30V - 0.018 Ω - 7A SO-8  
P-CHANNEL 30V - 0.070 Ω - 4A SO-8  
STripFET™ POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STS7C4F30L(N-Channel) 30 V <0.022 Ω  
STS7C4F30L(P-Channel) 30 V <0.080 Ω  
7 A  
4 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) (N-Channel) = 0.018 Ω  
DS  
TYPICAL R (on) (P-Channel) = 0.070 Ω  
DS  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
■
DESCRIPTION  
SO-8  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
DC/DC CONVERTERS  
BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
■
POWER MANAGEMENT IN CELLULAR  
PHONES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
N-CHANNEL  
P-CHANNEL  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
30  
30  
30  
30  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 20  
± 20  
V
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
Single Operating  
C
I
D
7
4
A
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
Single Operating  
C
I
4.4  
28  
2.5  
16  
A
A
D
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
Total Dissipation at T = 25°C Dual Operating  
1.6  
2
W
W
C
P
T
tot  
Total Dissipation at T = 25°C Single Operating  
C
Storage Temperature  
-60 to 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
Note: P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current  
has to be reversed  
June 2001  
1/10  
.
1234567...10

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STS7C4F30L 替代型号

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