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STS4NM20N

更新时间： 2024-02-21 22:14:08
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 栅极
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6页 140K
描述
N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET

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STS4NM20N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：12 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS4NM20N 数据手册

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STS4NM20N  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)  
DYNAMIC  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
= 15 V , I = 2 A  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
g
(4)  
Forward Transconductance  
V
1.4  
S
fs  
DS  
D
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
V
= 25 V, f = 1 MHz, V = 0  
670  
180  
12  
pF  
pF  
pF  
iss  
DS  
GS  
C
oss  
C
rss  
C
(*) Equivalent Output  
Capacitance  
V
= 0V, V = 0V to 400V  
TBD  
TBD  
pF  
oss eq.  
GS  
DS  
R
Gate Input Resistance  
f = 1 MHz Gate DC Bias = 0  
Test Signal Level = 20 mV  
Open Drain  
Ω
G
(*) C  
is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C  
when V increases from 0 to 80% V  
oss DS DSS  
oss eq.  
SWITCHING ON  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
= 100 V, I = 2 A  
= 4.7Ω V = 10 V  
GS  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
t
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
V
R
TBD  
TBD  
ns  
ns  
d(on)  
DD  
D
t
r
G
(see test circuit, Figure 3)  
Q
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
V
V
= 160 V, I = 4 A,  
= 10 V  
19  
3.5  
11  
nC  
nC  
nC  
g
DD  
GS  
D
Q
gs  
gd  
Q
SWITCHING OFF  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
t
Off-Voltage Rise Time  
Fall Time  
Cross-Over Time  
TBD  
TBD  
TBD  
ns  
ns  
ns  
V
R
= 100 V, I = 2 A,  
r (Voff)  
DD  
D
t
f
= 4.7Ω, V = 10 V  
G
GS  
t
c
(see test circuit, Figure 3)  
SOURCE DRAIN DIODE  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
4
Unit  
A
I
Source-drain Current  
SD  
I
(2)  
(4)  
Source-drain Current (pulsed)  
Forward On Voltage  
16  
A
SDM  
V
I
I
= 2 A, V = 0  
1.3  
V
SD  
SD  
SD  
GS  
t
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
= 2 A, di/dt = 100 A/µs,  
= 100 V, T = 25°C  
DD j  
89  
300  
6.5  
ns  
nC  
A
rr  
Q
V
rr  
RRM  
I
(see test circuit, Figure 5)  
t
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
I
V
= 2 A, di/dt = 100 A/µs,  
= 100 V, T = 150°C  
DD j  
TBD  
TBD  
TBD  
ns  
nC  
A
rr  
SD  
Q
rr  
RRM  
I
(see test circuit, Figure 5)  
2
Note: 1. When mounted on 1 inch FR4 Board, 2oz of Cu, t≤ 10 sec.  
2. Pulse width limited by safe operating area.  
3. I ≤ 4 A, di/dt ≤ 400 A/µs, V ≤ V  
T ≤ T  
j jMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS,  
4. Pulsed: Pulse duration = 400 µs, duty cycle 1.5 %.  
3/6  
123456

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