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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> STS4DPFS30L
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STS4DPFS30L

更新时间： 2024-11-23 22:29:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 266K
描述
P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER

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STS4DPFS30L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS4DPFS30L 数据手册

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STS4DPFS30L  
P-CHANNEL 30V - 0.07Ω - 4A SO-8  
STripFET™ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
V
DSS  
R
I
D
MOSFET  
DS(on)  
30 V  
< 0.08 Ω  
4 A  
I
V
RRM  
V
F(MAX)  
SCHOTTKY  
F(AV)  
SO-8  
3 A  
30 V  
0.51 V  
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
This product associates the latest low voltage  
STripFET™ in p-channel version to a low drop  
Schottky diode. Such configuration is extremely ver-  
satile in implementing, a large variety of DC-DC  
converters for printers, portable equipment, and cel-  
lular phones.  
MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
4
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
3.4  
16  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
1.6  
W
C
SCHOTTKY ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
RMS Forward Current  
Value  
30  
Unit  
V
V
RRM  
I
20  
A
F(RMS)  
I
Average Forward Current  
TL = 125°C  
δ = 0.5  
3
75  
1
A
F(AV)  
I
Surge Non Repetitive Forward Current  
Repetitive Peak Reverse Current  
tp = 10 ms  
Sinusoidal  
A
A
A
FSM  
I
tp = 2 µs  
F = 1 kHz  
RRM  
I
Non Repetitive Peak Reverse Current  
Critical Rate Of Rise Of Reverse Voltage  
tp = 100 µs  
1
RSM  
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of Voltages  
dv/dt  
10000  
V/µs  
and current has to be reversed  
1/8  
October 2000  
12345678

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