STS4DNFS30

更新时间： 2024-11-27 03:30:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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12页	298K
描述
N-channel - 30V - 0.044ohm - 4.5A SO-8 STripFET tm Power MOSFET plus schottky rectifier

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STS4DNFS30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	13 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STS4DNFS30 数据手册

STS4DNFS30

N-channel - 30V - 0.044Ω - 4.5A SO-8

STripFET™ Power MOSFET plus schottky rectifier

General features

Type

V_DSS

30V

R_DS(on)

<0.055Ω

V_RRM

I_D

STS4DNFS30

Schottky

4.5A

I_F(AV)

V_F(MAX)

4.5A

30V

0.53V

SO-8

Description

This product associates the latest low voltage

STripFET™ in n-channel version to a low drop

Schottky diode. Such configuration is extremely

versatile in implementing a large variety of DC-DC

converters for printers, portable equipment.

Internal schematic diagram

Applications

■ Switching application

Order codes

Part number

Marking

Package

Packaging

STS4DNFS30

S4DNFS30

SO-8

Tape & reel

July 2006

Rev 1

1/12

www.st.com

12 3 4 5 6 7...12

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