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STS2NF100

更新时间： 2024-11-23 22:12:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 287K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STS2NF100 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.26 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS2NF100 数据手册

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STS2NF100  
N-CHANNEL 100V - 0.23 Ω - 6A SO-8  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STS2NF100  
100 V  
<0.26 Ω  
6 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.23 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100 % AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
SO-8  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET process has specifically been designed  
to minimize input capacitance and gate charge. It is  
therefore suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for  
Telecom and Computer applications. It is also intended  
for any applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
± 20  
2
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I (•)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
1.3  
A
C
I
(••)  
Drain Current (pulsed)  
8
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
2.5  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.016  
40  
W/°C  
V/ns  
mJ  
dV/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
(2)  
E
200  
AS  
T
stg  
-65 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(••) Pulse width limited by safe operating area.  
(•) Current limited by the package  
(1) I ≤2A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 3A, V = 50V  
j
D
DD  
October 2002  
1/8  
.
12345678

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