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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS3C3F30L
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STS3C3F30L

更新时间： 2024-11-23 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 415K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.050 ohm - 3.5A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.140 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STS3C3F30L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.9
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS3C3F30L 数据手册

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STS3C3F30L  
N-CHANNEL 30V - 0.050 Ω - 3.5A SO-8  
P-CHANNEL 30V - 0.140 Ω - 3A SO-8  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STS3C3F30L(N-Channel) 30 V < 65 mΩ 3.5 A  
STS3C3F30L(P-Channel) 30 V < 165 mΩ 3 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) (N-Channel) = 50 mΩ  
DS  
TYPICAL R (on) (P-Channel) = 140 mΩ  
DS  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
■
DESCRIPTION  
SO-8  
This application specific Power MOSFET is the second  
generation of STMicroelectronis unique "Single Feature  
Size™" strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-resis-  
tance, rugged avalanche characteristics and less critical  
alignment steps therefore a remarkable manufacturing re-  
producibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
DC/DC CONVERTERS  
BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
■
POWER MANAGEMENT IN CELLULAR  
PHONES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
N-CHANNEL  
P-CHANNEL  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
30  
30  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 16  
V
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
Single Operating  
C
I
3.5  
2.7  
A
D
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
Single Operating  
C
I
2.2  
14  
1.7  
11  
A
A
D
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
Total Dissipation at T = 25°C Dual Operating  
1.6  
2
W
W
C
P
T
tot  
Total Dissipation at T = 25°C Single Operating  
C
Storage Temperature  
-60 to 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
Note: P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current  
has to be reversed  
February 2002  
1/10  
.
1234567...10

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与STS3C3F30L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS3DNE60L STMICROELECTRONICS

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STS3DPF20V STMICROELECTRONICS

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STS3DPF30L STMICROELECTRONICS

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 		DUAL P - CHANNEL 30V - 0.145ohm - 3A SO-8 STripFETO POWER MOSFET
STS3DPF60L STMICROELECTRONICS

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 		DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET
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 		P - CHANNEL 30V - 0.065ohm - 3A - S0-8 STripFETO MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS3DPFS30L STMICROELECTRONICS

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 		P-CHANNEL 40V - 0.070ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
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 		P-CHANNEL 45V - 0.080 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩
STS3NBT HOKURIKU

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 		Tactile Switches 3.2mm x 3.2mm Surface Mounting Type

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