STS3C3F30L

更新时间： 2024-09-29 22:21:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	415K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.050 ohm - 3.5A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.140 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STS3C3F30L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.9
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STS3C3F30L 数据手册

STS3C3F30L

N-CHANNEL 30V - 0.050 Ω - 3.5A SO-8

P-CHANNEL 30V - 0.140 Ω - 3A SO-8

STripFET™ II POWER MOSFET

TYPE

DSS

DS(on)

STS3C3F30L(N-Channel) 30 V < 65 mΩ 3.5 A

STS3C3F30L(P-Channel) 30 V < 165 mΩ 3 A

■

TYPICAL R (on) (N-Channel) = 50 mΩ

TYPICAL R (on) (P-Channel) = 140 mΩ

STANDARD OUTLINE FOR EASY

AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY

LOW THRESHOLD DRIVE

■

DESCRIPTION

SO-8

This application specific Power MOSFET is the second

generation of STMicroelectronis unique "Single Feature

Size™" strip-based process. The resulting transistor

shows extremely high packing density for low on-resis-

tance, rugged avalanche characteristics and less critical

alignment steps therefore a remarkable manufacturing re-

producibility.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

DC/DC CONVERTERS

BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC

EQUIPMENT

■

POWER MANAGEMENT IN CELLULAR

PHONES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

N-CHANNEL

P-CHANNEL

Unit

Drain-source Voltage (V = 0)

Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)

DGR

Gate- source Voltage

± 16

Drain Current (continuos) at T = 25°C

Single Operating

3.5

2.7

Drain Current (continuos) at T = 100°C

Single Operating

2.2

1.7

(•)

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T = 25°C Dual Operating

1.6

tot

Total Dissipation at T = 25°C Single Operating

Storage Temperature

-60 to 150

150

°C

stg

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area.

Note: P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current

has to be reversed

February 2002

1/10

12 3 4 5 6 7...10

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