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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS3DPF30L
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STS3DPF30L

更新时间： 2024-11-23 22:14:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 75K
描述
DUAL P - CHANNEL 30V - 0.145ohm - 3A SO-8 STripFETO POWER MOSFET

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STS3DPF30L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS3DPF30L 数据手册

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STS3DPF30L  
®
DUAL P - CHANNEL 30V - 0.145Ω - 3A SO-8  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
STS3DPF30L  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
30 V  
< 0.16 Ω  
3 A  
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.145 Ω  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
■
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the second generation of  
STMicroelectronics unique "Single Feature Size  
" strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remarka-  
ble manufacturing reproducibility.  
SO-8  
APPLICATIONS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
■
■
BATTERY MANAGMENT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
POWER MANAGMENT IN CELLULAR  
PHONES  
DC-DC CONVERTER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
V
V
V
A
VDGR  
VGS  
30  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
± 20  
3
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Single Operation  
o
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
1.9  
A
Single Operation  
IDM(•)  
Drain Current (pulsed)  
12  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C Dual Operation  
2
1.6  
W
W
o
Total Dissipation at Tc = 25 C Single Operation  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current has to be reversed  
1/5  
May 2000  
12345

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与STS3DPF30L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS3DPF60L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET
STS3DPFS30 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P - CHANNEL 30V - 0.065ohm - 3A - S0-8 STripFETO MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS3DPFS30L STMICROELECTRONICS

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 		P - CHANNEL 30V - 0.13ohm - 3A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
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 		P-CHANNEL 45V - 0.080 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩
STS3NBT HOKURIKU

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