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STS3DPFS40

更新时间： 2024-09-30 08:58:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
6页 49K
描述
P-CHANNEL 40V - 0.070ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER

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STS3DPFS40 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS3DPFS40 数据手册

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STS3DPFS40  
P-CHANNEL 40V - 0.070Ω - 3A SO-8  
STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER  
PRELIMINARY DATA  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
V
R
DS(on)  
I
D
MOSFET  
DSS  
40 V  
< 0.1 Ω  
3 A  
I
V
V
F(MAX)  
SCHOTTKY  
F(AV)  
RRM  
3 A  
40 V  
0.51 V  
SO-8  
DESCRIPTION  
This product associates the latest low voltage  
STripFET in p-channel version to a low drop  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
Schottky diode. Such configuration is extremely ver-  
satile in implementing, a large variety of DC-DC  
converters for printers, portable equipment, and cel-  
lular phones.  
MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
Value  
40  
Unit  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
40  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
3
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
1.9  
12  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
2
W
TOT  
C
SCHOTTKY ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
RMS Forward Current  
Value  
40  
Unit  
V
V
RRM  
I
20  
A
F(RMS)  
I
Average Forward Current  
TL = 125°C  
δ = 0.5  
3
75  
1
A
F(AV)  
I
Surge Non Repetitive Forward Current  
Repetitive Peak Reverse Current  
tp = 10 ms  
Sinusoidal  
A
A
FSM  
I
tp = 2 µs  
RRM  
F = 1kHz  
I
Non Repetitive Peak Reverse Current  
Critical Rate Of Rise Of Reverse Voltage  
tp = 100 µs  
1
A
RSM  
dv/dt  
10000  
V/µs  
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of Voltages  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
and current has to be reversed  
1/6  
November 2000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS3DPFS45 STMICROELECTRONICS

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 		P-CHANNEL 45V - 0.080 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩
STS3NBT HOKURIKU

获取价格

 		Tactile Switches 3.2mm x 3.2mm Surface Mounting Type
S-TS400HU-ATU-LL-400 ALTECH

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