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STS30N3LLH6

更新时间: 2024-11-27 20:11:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 758K
描述
30A, 30V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

STS30N3LLH6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
雪崩能效等级(Eas):525 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.0035 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STS30N3LLH6 数据手册

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STS30N3LLH6  
N-channel 30 V, 0.0016 , 30 A, SO-8  
STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
STS30N3LLH6  
30 V  
0.0024 Ω  
30 A  
R  
* Q industry benchmark  
g
DS(on)  
Extremely low on-resistance R  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power losses  
DS(on)  
SO-
Very low switching gate charge  
Application  
Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
th  
This product utilizes the 6 generation of design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology,  
with a new gate structure.The resulting Power  
MOSFET exhibits the loweR  
in a standard  
DS(on)  
package, that maket suitable for the most  
demanding DC-DC converter applications, where  
high power density has to be achieved.  
Table 1.  
Order code  
STS30N3LLH6  
Device summary  
Marking  
Packag  
SO-8  
Packaging  
30G3L  
Tape and reel  
July 2009  
Doc ID 15346 Rev 2  
1/13  
www.st.com  
13  

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