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STS2620A

更新时间： 2024-11-24 20:40:07

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三合微科 - SAMHOP		/
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描述
Transistor

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STS2620A 数据手册

STS2620A

S mHop Microelectronics Corp.

Ver1.2

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel )

PRODUCT SUMMARY (N-Channel)

PRODUCT SUMMARY (P-Channel)

RDS(ON) (m

) Max

RDS(ON) (m

) Max

VDSS

50 @ VGS=4.5V

76 @ VGS=2.5V

106 @ VGS=-4.5V

198 @ VGS=-2.5V

2.5A

20V

-2A

-20V

SOT 26

Top View

S 1

S 2

Nch

Pch

)

(

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_A=25 C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Units

N-Channel P-Channel

-20

T_C=25 C

2.5

-2

-1.6

-7

I_D

Drain Current-Continuous

T_C=70 C

I_DM

-Pulsed

T_C=25 C

P_D

Maximum Power Dissipation

T_C=70 C

0.64

Operating Junction and Storage

Temperature Range

°C

T_J, T_STG

-55 to 150

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

125

°C/W

Details are subject to change without notice.

Nov,24,2010

www.samhop.com.tw

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