5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 270K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 30V - 0.09 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.91 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STS6DNF30L | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
DUAL N - CHANNEL 30V - 0.022ohm - 6A SO-8 STripFET POWER MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STS2DNF30L_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Dual N-channel 30V - 0.09ohm - 3A SO-8 STripFET TM Power MOSFET |
|
| STS2DNF30L_0705 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Dual N-channel 30V - 0.09Ω - 3A SO-8 STripFET |
|
| STS2DNFS30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.09ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ I |
|
| STS2DPF20V | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL 20V - 0.14ohm - 2A SO-8 2.7V-D |
|
| STS2DPF80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL 80V - 0.21 Ohm - 2.3A SO-8 |
|
| STS2DPFS20V | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 20V - 0.14 ohm - 2.5A SO-8 2.7V-DRI |
|
| STS2NF100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ |
|
| STS30 | ETC |
获取价格 |
Fully calibrated and linearized digital output |
|
| STS30-DIS-10kS | ETC |
获取价格 |
Fully calibrated and linearized digital output |
|
| STS30-DIS-2.5kS | ETC |
获取价格 |
Fully calibrated and linearized digital output |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
