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STS2DPF20V

更新时间： 2024-09-29 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
6页 119K
描述
DUAL P-CHANNEL 20V - 0.14ohm - 2A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STS2DPF20V 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS2DPF20V 数据手册

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STS2DPF20V  
DUAL P-CHANNEL 20V - 0.14Ω - 2A SO-8  
2.7V-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
<0.20Ω (@4.5V)  
<0.25Ω (@2.7V)  
STS2DPF20V  
20 V  
2 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.14Ω (@4.5V)  
DS  
TYPICAL R (on) = 0.2Ω (@2.7V)  
DS  
ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.7V)  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
SO-8  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the second generation of  
STMicroelectronics unique “Single Feature Size™”  
strip-based process. The resulting transistor shows  
extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remarkable  
manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
BATTERY MANAGMENT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
POWER MANAGMENT IN CELLULAR PHONES  
MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
20  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
20  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 12  
V
I
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C Single Operation  
2
1.26  
A
A
C
Drain Current (continuos) at T = 100°C Single Operation  
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
8
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C Dual Operation  
1.6  
2
W
W
C
Total Dissipation at T = 25°C Single Operation  
C
(●)Pulse width limited by safe operating area  
.
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of Voltages  
and current has to be reversed  
August 2001  
1/6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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