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STS2622A

更新时间: 2024-09-30 13:14:07
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三合微科 - SAMHOP 晶体晶体管功率场效应晶体管
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STS2622A 数据手册

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S TS 2622  
S amHop Microelectronics C orp.  
Feb,25 2005 Ver1.1  
Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor  
PR ODUCT S UMMAR Y  
FE ATUR E S  
S uper high dense cell design for low R DS (ON).  
R ugged and reliable.  
VDS S  
ID  
R DS (ON) ( m  
) Max  
80 @ VG S = 4.5V  
110 @ VG S = 2.5V  
20V  
2.5A  
TS OP 6 package.  
D2  
D1  
TS OP 6  
Top View  
G 1  
S 1  
G 2  
D1  
S 2  
D2  
6
5
4
1
2
3
G 2  
G 1  
S 2  
S 1  
AB S OL UTE MAXIMUM R ATING (T  
A
=25 C unles s otherwis e noted)  
Limit  
Unit  
V
P arameter  
S ymbol  
Drain-S ource Voltage  
20  
10  
V
V
DS  
G S  
V
G ate-S ource Voltage  
I
D
2.5  
8
Drain C urrent-C ontinuous a @ T  
-P ulsed b  
c
=25 C  
A
A
I
DM  
Drain-S ource Diode Forward C urrent a  
Maximum P ower Dissipation a  
1.25  
A
I
S
P
D
W
C
1
Operating J unction and S torage  
Temperature R ange  
T
J
, TS TG  
-55 to 150  
THE R MAL CHAR ACTE R IS TICS  
Thermal R esistance, J unction-to-Ambient a  
C
/W  
R
thJ A  
125  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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