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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP60NE06-16FP
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STP60NE06-16FP

更新时间： 2024-11-22 22:30:11
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
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9页 122K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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STP60NE06-16  
STP60NE06-16FP  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP60NE06-16  
STP60NE06-16FP  
60 V  
60 V  
< 0.016 Ω  
< 0.016 Ω  
60 A  
35 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.013 Ω  
EXCEPTIONAL dV/dt CAPABILTY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
HIGH dV/dt CAPABILITY  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
TO-220  
TO220FP  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size”  
process whereby a single body is implanted on a  
strip layout structure. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP60NE06-16 STP60NE06-16FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
60  
60  
V
V
± 20  
V
60  
42  
35  
24  
A
ID  
A
I
DM(• )  
240  
150  
1
240  
40  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.3  
2000  
VISO  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
dV/dt  
Tstg  
Tj  
6
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 60 A,di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, T ≤ TJMAX  
j
1/9  
December 1997  
1234567...9

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STP60NE06L-16FP STMICROELECTRONICS

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