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STP60NE10

更新时间： 2024-11-25 22:50:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 111K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET

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STP60NE10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP60NE10 数据手册

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STP60NE10  
STP60NE10FP  
N - CHANNEL 100V - 0.016Ω - 60A TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP60NE10  
STP60NE10FP  
100 V  
100 V  
< 0.022 Ω  
< 0.022 Ω  
60 A  
30 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.016 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
DESCRIPTION  
1
1
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP60NE10 STP60NE10FP  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
100  
100  
V
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
60  
42  
30  
21  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
IDM( ) Drain Current (pulsed)  
240  
160  
1.06  
120  
50  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
Derating Factor  
W
W/oC  
0.37  
2000  
VISO  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
7
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 60 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/9  
May 1999  
1234567...9

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与STP60NE10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP60NE10FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET
STP60NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP60NF03L_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.008Ω - 60A TO-220 STripFET™
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP60NF06_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A TO-220 STripFET
STP60NF06FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP60NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220
STP60NF06LFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220
STP60NF10 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP60NH2LL STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 24V - 0.010ohm - 40A TO-220 STripFET Power MOSFET

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