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STP62NS04Z

更新时间： 2024-09-26 22:12:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 254K
描述
N-CHANNEL CLAMPED 12.5m - 62A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET

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STP62NS04Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：2.26雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：33 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：62 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：248 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP62NS04Z 数据手册

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STP62NS04Z  
N-CHANNEL CLAMPED 12.5mΩ - 62A TO-220  
FULLY PROTECTED MESH OVERLAY™ MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STP62NS04Z  
CLAMPED <0.015 Ω  
62 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.0125 Ω  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW CAPACITANCE AND GATE CHARGE  
175 oC MAXIMUM JUNCTION  
TEMPERATURE  
3
2
1
DESCRIPTION  
TO-220  
This fully clamped Mosfet is produced by using the latest  
advanced Company’s Mesh Overlay process which is  
based on a novel strip layout.  
The inherent benefits of the new technology coupled with  
the extra clamping capabilities make this product  
particularly suitable for the harshest operation conditions  
such as those encountered in the automotive  
environment. Any other application requiring extra  
ruggedness is also recommended.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
ABS, SOLENOID DRIVERS  
■
POWER TOOLS  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STP62NS04Z  
MARKING  
P62NS04Z  
PACKAGE  
TO-220  
PACKAGING  
TUBE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
Drain-gate Voltage  
Value  
Unit  
V
V
V
A
V
DS  
CLAMPED  
CLAMPED  
CLAMPED  
62  
GS  
V
DG  
V
Gate- source Voltage  
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
37.5  
A
D
C
I
I
Drain Gate Current (continuous)  
Gate SourceCurrent (continuous)  
Drain Current (pulsed)  
± 50  
± 50  
248  
110  
mA  
mA  
A
DG  
GS  
(•)  
I
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.74  
8
500  
8
W/°C  
V/ns  
mJ  
kV  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
ESD (HBM - C = 100pF, R=1.5 kΩ)  
Storage Temperature  
dv/dt  
(2)  
E
AS  
V
T
ESD  
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤40A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j
SD  
DD  
(BR)DSS  
JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 20A, V = 20V  
j
D
DD  
March 2004  
1/8  
.
12345678

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与STP62NS04Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP62NS04Z_06 STMICROELECTRONICS

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