IRFIZ48GPBF

更新时间： 2024-11-26 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFIZ48GPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.19
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	37 A	最大漏极电流 (ID)：	37 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFIZ48GPBF 数据手册

IRFIZ48G, SiHFIZ48G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Isolated Package

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.018

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

110

COMPLIANT

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

_gs(nC)

_gd(nC)

• 175 °C Operating Temperature

• Dynamic dV/dt Rating

Configuration

Single

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. The isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFIZ48GPbF

SiHFIZ48G-E3

IRFIZ48G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFIZ48G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

150

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

0.40

100

W/°C

E_AS

P_D

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 85 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 37 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 72 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91190

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFIZ48N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A)
IRFIZ48N-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFIZ48N-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFIZ48N-005	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFIZ48N-005PBF	INFINEON	获取价格	36A, 55V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
IRFIZ48N-006	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFIZ48N-006PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFIZ48N-009	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFIZ48N-009PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFIZ48N-010	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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