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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP60NE06L-16FP
STP60NE06L-16FP PDF预览

STP60NE06L-16FP

更新时间： 2024-11-25 22:06:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 108K
描述
N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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STP60NE06L-16FP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
其他特性：LOW THRESHOLD雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP60NE06L-16FP 数据手册

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STP60NE06L-16  
STP60NE06L-16FP  
N - CHANNEL 60V - 0.014Ω - 60A TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP60NE06L-16  
STP60NE06L-16FP  
60 V  
60 V  
< 0.016 Ω  
< 0.016 Ω  
60 A  
35 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.014 Ω  
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175 oC OPERATING TEMPERATURE  
LOW THRESHOLD DRIVE  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronis unique ”Single Feature Size ”  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remarka-  
ble manufacturingreproducibility.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP60NE06L-16 STP60NE06L-16FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
V
± 15  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
60  
42  
35  
24  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
IDM( ) Drain Current (pulsed)  
240  
150  
1
140  
45  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
Derating Factor  
W
W/oC  
0.3  
2000  
VISO  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
6
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 60 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/9  
May 2000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP60NE10 STMICROELECTRONICS

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