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STP60N3LH5

更新时间: 2024-11-23 06:14:51
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
16页 388K
描述
N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

STP60N3LH5 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.8其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):160 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):48 A最大漏极电流 (ID):48 A
最大漏源导通电阻:0.0114 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):60 W最大脉冲漏极电流 (IDM):192 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STP60N3LH5 数据手册

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STD60N3LH5  
STP60N3LH5, STU60N3LH5  
N-channel 30 V, 0.0072 , 48 A DPAK, IPAK, TO-220  
STripFET™ V Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
STD60N3LH5  
STP60N3LH5  
STU60N3LH5  
30 V  
30 V  
30 V  
0.008 Ω  
0.0084 Ω  
0.0084 Ω  
48 A  
48 A  
48 A  
3
2
1
TO-220  
R  
* Q industry benchmark  
g
DS(on)  
3
Extremely low on-resistance R  
3
DS(on)  
2
1
1
Very low switching gate charge  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power losses  
DPAK  
IPAK  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Switching applications  
Description  
This STripFET™V Power MOSFET technology is  
among the latest improvements, which have been  
especially tailored to achieve very low on-state  
resistance providing also one of the best-in-class  
FOM.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
STD60N3LH5  
STP60N3LH5  
STU60N3LH5  
60N3LH5  
60N3LH5  
60N3LH5  
Tape and reel  
Tube  
TO-220  
IPAK  
Tube  
April 2009  
Doc ID 14079 Rev 3  
1/16  
www.st.com  
16  

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