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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP60NE06-16FI
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STP60NE06-16FI

更新时间： 2024-11-25 23:35:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 122K
描述
TRANSISTOR MOSFET

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STP60NE06-16FI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

STP60NE06-16FI 数据手册

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STP60NE06-16  
STP60NE06-16FP  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP60NE06-16  
STP60NE06-16FP  
60 V  
60 V  
< 0.016 Ω  
< 0.016 Ω  
60 A  
35 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.013 Ω  
EXCEPTIONAL dV/dt CAPABILTY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
HIGH dV/dt CAPABILITY  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
TO-220  
TO220FP  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size”  
process whereby a single body is implanted on a  
strip layout structure. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP60NE06-16 STP60NE06-16FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
60  
60  
V
V
± 20  
V
60  
42  
35  
24  
A
ID  
A
I
DM(• )  
240  
150  
1
240  
40  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.3  
2000  
VISO  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
dV/dt  
Tstg  
Tj  
6
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 60 A,di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, T ≤ TJMAX  
j
1/9  
December 1997  
1234567...9

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与STP60NE06-16FI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP60NE06-16FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP60NE06L-16 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP60NE06L-16FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP60NE10 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET
STP60NE10FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET
STP60NF03L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP60NF03L_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.008Ω - 60A TO-220 STripFET™
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP60NF06_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A TO-220 STripFET
STP60NF06FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F

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