Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPP80N06S-08

SPP80N06S-08

更新时间： 2024-11-25 03:31:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	171K
描述
SIPMOS㈢ Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SPP80N06S-08 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.008 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPP80N06S-08 数据手册

SPB80N06S-08

SPI80N06S-08, SPP80N06S-08

SIPMOS^®Power-Transistor

Product Summary

V_DS

Features

7.7

• N-channel - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Avalanche test

P-TO263-3-2

P-TO262-3-1

P-TO220-3-1

• Repetive Avalanche up to

V_DD=30 V, I_D=80 A, V_GS=10 V, R_G=2.4 Ω

_jmax= 175 °C

• dv /dt rated

Type

Package

Ordering Code Marking

SPB80N06S-08

SPI80N06S-08

SPP80N06S-08

P-TO263-3-2

P-TO262-3-1

P-TO220-3-1

Q67060-S6185

1N0608

T _C=25 °C, V_GS=10 V

Q67060-S6187

1N0608

T _C=100 °C, V_GS=10 V

Q67060-S6186

1N0608

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C, V_GS=10 V

320

700

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=80 A, R _GS=25 Ω,

Avalanche energy, single pulse

_DD=25 V

Avalanche energy, periodic²⁾

E_AR

T _j≤175 °C

I _D=80 A, V_DS=40 V,

di/dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt ²⁾

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V_GS

Gate source voltage

±20

300

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2004-11-30

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

SPP80N06S-08 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP80N06S2-08	INFINEON	类似代替	OptiMOS Power-Transistor
IPP080N03LG	INFINEON	类似代替	OptiMOS?3 Power-Transistor
STP60N3LH5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO

与SPP80N06S-08相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPP80N06S2-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-08	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-H5	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2L-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2L-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2L-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2L-11	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor

与SPP80N06S-08相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SPP80N06S-08

SPP80N06S-08 技术参数

SPP80N06S-08 数据手册

SPP80N06S-08 替代型号

与SPP80N06S-08相关器件

与SPP80N06S-08相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SPP80N06S-08

SPP80N06S-08 技术参数

SPP80N06S-08 数据手册

SPP80N06S-08 替代型号

与SPP80N06S-08相关器件

与SPP80N06S-08相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？